05.03.2020

IXYS-Line von Littelfuse   

Die Gate Drive wurde entwickelt, um den Benutzern die Möglichkeit zu geben folgendes durchzuführen:

IXYS SIC-EVB
Bewerten Sie den Dauerbetrieb von SiC-Leistungs-MOSFETs und -Dioden unter Nennspannung und Nennstrom mit realer Leistungsabgabe. Analysieren Sie die Auswirkungen auf Si-Basis auf SiC-Basis, um die Effizienz zu verbessern unter genau definierten und optimierten Testbedingungen.Testen Sie die Gate-Treiberschaltungen unter kontinuierlichen Arbeitsbedingungen, um die thermische Leistung des Gate-Treibers und die EMI-Störfestigkeit zu bewerten

Applikationsschrift zum EVB-GDEV1

 

 

IX4351NE

Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt.IX4351NE
Separate 9A-Quellen- und Senkenausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalten und minimieren
gleichzeitig die Schaltverluste.
Ein interner negativer Ladungsregler bietet eine wählbare negative Gate-Ansteuerungsvorspannung
für eine verbesserte dV / dt-Störfestigkeit und ein schnelleres Ausschalten. Die Entsättigungserfassungsschaltung
erkennt einen Überstromzustand des SiC-MOSFET und leitet ein sanftes Ausschalten ein,

wodurch ein möglicherweise schädliches dV / dt-Ereignis verhindert wird.
Der Logikeingang ist TTL- und CMOS-kompatibel. Dieser Eingang muss auch bei einer negativen Gate-Ansteuerungsvorspannung
nicht pegelverschoben werden. Zu den Schutzfunktionen gehören UVLO und thermische Abschalterkennung.
Ein Open-Drain-FAULT-Ausgang signalisiert dem Mikrocontroller einen Fehlerzustand.

Datenblatt IX4351NE

 


Neue Thyristoren von ABBABB neue Thyristoren

Der Produktionsprozess der leistungsstarken und bewährten kleinen Gehäusethyristorplattform ist optimiert,
so dass ABB wettbewerbsfähige Preise für die D- und F-Gehäusethyristorplattform (34 und 47 mm Polstückdurchmesser)
mit Spannungswerten von 1800 V bis 6500 V anbieten kann. Zielmärkte für diese Thyristoren sind neben vielen anderen
auch Gleichstromantriebe und Softstarter.