18.11.2021 Aismalibar

Neue Produktpalette an Wärmeleitmaterialien von Aismalibar entdecken.

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Aismalibar hat eine Familie von Wärmeleitmaterialien (Thermal Interface Materials, TIMs) für eine Vielzahl von elektronischen Anwendungsbereichen entwickelt. 

Die dielektrische Anforderung an ein TIM wird durch das elektronische Gerät, seine Betriebsspannung und die geltenden Vorschriften zur Erdisolierung bestimmt. Aismalibar hat darüber hinaus eine Reihe von anwendbaren Oberflächen auf unseren TIMs entwickelt, die sich darin unterscheiden, ob sie selbstklebend sein müssen oder nicht. Beide Oberflächen dienen wiederum dazu, die zwischen den Oberflächen der TIMs und den Kühlkörpern oder elektronischen Bauteilen vorhandenen Lufthohlräume zu reduzieren.

Die neuen, von Aismalibar entwickelten TIMS, leiten die Wärme aus den elektronischen Bauteilen ab und verbessern deren Ableitung. Ein sauberes, schnelles und effizientes thermisches Schnittstellenmaterial, das zur Lösung von Schnittstellen zwischen MPCB / Power Components und Kühlkörpern verwendet wird und die dielektrische Isolierung und schnelle Wärmeübertragung verbessert.

 

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18.11.2021

Hitachi Energy

Die nächste Generation von phasen-gesteuerten Thyristoren und Gleichrichterdioden.


Hitachi next generation.png 

   Datenblätter:

   5SDD 57N6500_5SYA

   5SDD 75Y8500_5SYA 

   5STP 16F2810

   5STP 18F1810

   5STP 40N6500_5SYA1086

 

 

 

 

 

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31.08.2021

Littelfuse

X4-Class Series - 135V - 200V N-Kanal Ultra Junction Power MOSFETs mit HiPerFET™-Optionen

  Neue Ultra Junction MosFets höhere Auflösung.JPG

Diese Bauelemente wurden unter Verwendung eines Ladungskompensationsprinzips und einer proprietären Prozesstechnologie entwickelt. Das Ergebnis sind Leistungs-MOSFETs mit deutlich reduziertem Widerstand RDS(on) und Gate-Ladung Qg. Ein niedriger Widerstand im Ein-Zustand reduziert die Leitungsverluste; er verringert auch die in der Ausgangskapazität gespeicherte Energie und minimiert so die Schaltverluste. Eine niedrige Gate-Ladung führt zu einem höheren Wirkungsgrad bei geringen Lasten sowie zu geringeren Gate-Ansteuerungsanforderungen. Darüber hinaus sind diese MOSFETs avalanche-tauglich und weisen eine hervorragende dv/dt-Leistung auf. Aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten ihres Durchlasswiderstands können sie auch parallel betrieben werden, um höhere Stromanforderungen zu erfüllen.

Merkmale:

Niedriger Durchlasswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg
dv/dt-Robustheit
Avalanche-Fähigkeit
Internationale Standardgehäuse

Anwendungen:

Synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen
Stromversorgungen
Motorsteuerung (48V-80V-Systeme)
DC-DC-Wandler
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Elektrische Gabelstapler
Class-D-Audio-Verstärker
Telekommunikationssysteme

 

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28.07.2021

Littelfuse

Montage- und Kühllösungen für das SMPD-Gehäuse von IXYS

SMPD.jpg

Das SMPD-Gehäuse bietet einzigartige Funktionen für leistungselektronische Anwendungen. Dazu gehören:

- Hohe elektrische Isolationsfestigkeit von 2.500 V

- Geringerer thermischer Widerstand im Vergleich zu Standardgehäusen wie TO-247 oder TO-264

- Erhöhte Flexibilität bei Kundenspezifischen Topologien

- Höhere Stromtragfähigkeite im Vergleich zu TO-Gehäusen

- Reduzierte parasitäre Streuinduktivitäten- und kapazitäten führen zu verbessertem EMI-Verhalten

All diese Eigenschaften machen das SMPD-Gehäuse zu einem hervorragenden Kandidaten für SI- und SiC-Leistungshalbleiter.

 

Weitere Informationen hier ->

 

15.07.2021

HITACHI ABB

Wir haben unser Portfolio durch die Einführung einer Familie von 1200-V-Leistungsmodulen erweitert. Beginnend mit einem 1200 V 2 x 900 A Modul, das ein verbessertes LoPak-Modulgehäuse verwendet, ergänzen die neuen Produkte die bestehende 1700 V Familie.

 LoPak 1200V.jpg

Nähere Informationen hier->

Product note LoPak module 1200 V, 900 A x 2, hier->

Datasheet hier->

 

30.06.2021

HITACHI ABB

Nach der erfolgreichen Markteinführung des 60Pak Diodenmoduls Anfang dieses Jahres, freuen wir uns, Ihnen mitteilen zu können, dass das 60Pak Thyristormodul nun das vierte Tor passiert hat.

Das Thyristor-Phasenschiebermodul mit der Bezeichnung 5SET 0540T1800 hat eine Leistung von 1800 V / 540 A und kann ab sofort in Musterstückzahlen bestellt werden. Außerdem sind Dioden/Thyristor-Modul-Varianten verfügbar, die die Bezeichnung 5SEG 0540T1820 und 5SEE 0540T1830 haben.

Die Qualifizierung der genannten Module planen wir für Dezember 2021.

Die 60Pak-Modulfamilie bietet ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit und ist der Inbegriff von Qualität. Sie zeichnet sich durch industrietaugliche Gehäuse und sehr geringe Verluste zusammen mit der höchsten Betriebstemperatur aus.

Dazu hier die Datenblätter:

60Pak Modul Bild.JPG

 

    5SET 0540T1800  Phase Control Thyristor Modul 

    5SEG 0540T1820 Phase Control Thyristor Modul / Rectifier Dioden Modul

    5SEE 0540T1830 Phase Control Thyristor Modul / Rectifier Dioden Modul

 

Nähere Informationen hier ->

 

29.06.2021

Ein neuer Lieferant im Bereich der Leiterplattenherstellung

 

Logo Mos

 

ist Hersteller von Leiterplatten. Seine Stärken liegen in der Eilfertigung von Prototypen und technologischen Herausforderungen im Bereich der Leistungselektronik.

 

09.06.2021

Neue Lieferanten :

Hauber & Graf electronics GmbH setzt weiter auf Wachstum und erweitert sein Portfolio um weitere 2 Lieferanten.

     downloads/Starpower/Starpower.jpg

Mit Starpower erweitern wir unseren Bereich Leistungshalbleiter.

Starpower verfügt über ein großes Produktprogramm und kurze Lieferzeiten

 

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Mit Aismalibar decken wir den Bereich "IMS Insulated metal substrate" ab, um eine möglichst hohe Wärmeableitung zu erzeugen.

Aismalibar zeichnet sich durch hohe technische Kompetenz und Innovationsfreudigkeit aus.

Mit den 2 neuen Lieferanten können wir noch besser auf die Anforderungen unserer Kunden eingehen.
 

08.06.2021

Neu von Littelfuse/IXYS

 

LSIC1MO170T0750 1.700 SiC-Mosfet mit nur 750 mOhm im TO-263-7L-Gehäuse

    SiC MOSFET 1700V Product Line Extension.JPG

          Datenblatt LSIC1MO170T0750