16.04.2020

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              Weitere Informationen zum Thema PV-Anlagen finden Sie unter:  

                                             Schutz von Solaranlagen

 
 08.04.2020

            Zum niederinduktiven Aufbau Ihrer Lesitungselektronik

 

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Sollten Sie Fragen haben, sprechen Sie uns gerne an !

 
 20.03.2020

Neue Serie von Littelfuse

Hochspannungs- und Hochstromrelais

 Littelfuse-DC-Solenoids-Relays-Contactor-Relay-DCNLEV50-BA-Front.jpgLittelfuse-DC-Solenoids-Relays-Contactor-Relay-DCNLEV100-BA-Front.jpgLittelfuse-DC-Solenoids-Relays-Contactor-Relay-DCNEVT150-B-Front.jpg

              DCNSEV30                           DCNLEV50                          DCNLEV100                       DCNEVT150                             DCNEV250          

               Datenblatt                              Datenblatt                             Datenblatt                           Datenblatt                                Datenblatt    

 

            DCNEVT350                          DCNEVT400                         DCNEVT500

              Datenblatt                              Datenblatt                             Datenblatt

 

Bei Fragen, wenden Sie sich gerne an uns

 
 18.03.2020

Der "Clampman" sorgt für freie Hände, ein unverzichtbares Werkzeug bei der präzisen Arbeit

 Halterung MessspitzeCLM-1080_clampman_light_iso_masked_h1600_72dpi.pngHalterung PlatineCLM-2001_midi_plus_h745_72dpi.pngcm_frei_mit_PCB_h1600_72dpi.pngModel-50-ESD.pngvice_front_h800.pngvicebox_ESD50_h800_72dpi.png


Robuste Halterung zum Messen, Testen, Löten und Fixieren von Bauteilen.

Produktkatalog hier

 
 05.03.2020

IXYS-Line von Littelfuse   

Die Gate Drive wurde entwickelt, um den Benutzern die Möglichkeit zu geben folgendes durchzuführen:

IXYS SIC-EVB
Bewerten Sie den Dauerbetrieb von SiC-Leistungs-MOSFETs und -Dioden unter Nennspannung und Nennstrom mit realer Leistungsabgabe. Analysieren Sie die Auswirkungen auf Si-Basis auf SiC-Basis, um die Effizienz zu verbessern unter genau definierten und optimierten Testbedingungen.Testen Sie die Gate-Treiberschaltungen unter kontinuierlichen Arbeitsbedingungen, um die thermische Leistung des Gate-Treibers und die EMI-Störfestigkeit zu bewerten

Applikationsschrift zum EVB-GDEV1

 

 

IX4351NE

Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt.IX4351NE
Separate 9A-Quellen- und Senkenausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalten und minimieren
gleichzeitig die Schaltverluste.
Ein interner negativer Ladungsregler bietet eine wählbare negative Gate-Ansteuerungsvorspannung
für eine verbesserte dV / dt-Störfestigkeit und ein schnelleres Ausschalten. Die Entsättigungserfassungsschaltung
erkennt einen Überstromzustand des SiC-MOSFET und leitet ein sanftes Ausschalten ein,

wodurch ein möglicherweise schädliches dV / dt-Ereignis verhindert wird.
Der Logikeingang ist TTL- und CMOS-kompatibel. Dieser Eingang muss auch bei einer negativen Gate-Ansteuerungsvorspannung
nicht pegelverschoben werden. Zu den Schutzfunktionen gehören UVLO und thermische Abschalterkennung.
Ein Open-Drain-FAULT-Ausgang signalisiert dem Mikrocontroller einen Fehlerzustand.

Datenblatt IX4351NE

 


Neue Thyristoren von ABBABB neue Thyristoren

Der Produktionsprozess der leistungsstarken und bewährten kleinen Gehäusethyristorplattform ist optimiert,
so dass ABB wettbewerbsfähige Preise für die D- und F-Gehäusethyristorplattform (34 und 47 mm Polstückdurchmesser)
mit Spannungswerten von 1800 V bis 6500 V anbieten kann. Zielmärkte für diese Thyristoren sind neben vielen anderen
auch Gleichstromantriebe und Softstarter.