31.08.2021

Littelfuse

X4-Class Series - 135V - 200V N-Kanal Ultra Junction Power MOSFETs mit HiPerFET™-Optionen

  Neue Ultra Junction MosFets höhere Auflösung.JPG

Diese Bauelemente wurden unter Verwendung eines Ladungskompensationsprinzips und einer proprietären Prozesstechnologie entwickelt. Das Ergebnis sind Leistungs-MOSFETs mit deutlich reduziertem Widerstand RDS(on) und Gate-Ladung Qg. Ein niedriger Widerstand im Ein-Zustand reduziert die Leitungsverluste; er verringert auch die in der Ausgangskapazität gespeicherte Energie und minimiert so die Schaltverluste. Eine niedrige Gate-Ladung führt zu einem höheren Wirkungsgrad bei geringen Lasten sowie zu geringeren Gate-Ansteuerungsanforderungen. Darüber hinaus sind diese MOSFETs avalanche-tauglich und weisen eine hervorragende dv/dt-Leistung auf. Aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten ihres Durchlasswiderstands können sie auch parallel betrieben werden, um höhere Stromanforderungen zu erfüllen.

Merkmale:

Niedriger Durchlasswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg
dv/dt-Robustheit
Avalanche-Fähigkeit
Internationale Standardgehäuse

Anwendungen:

Synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen
Stromversorgungen
Motorsteuerung (48V-80V-Systeme)
DC-DC-Wandler
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Elektrische Gabelstapler
Class-D-Audio-Verstärker
Telekommunikationssysteme

 

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