Aufbauend auf unserer Erfahrung mit leistungsstarken, hochzuverlässigen Geräten für Spannungen von 3.300 V und darüber haben wir unser Portfolio durch die Einführung einer Familie von 1.200-V-Leistungsmodulen erweitert. Beginnend mit einem 1.200 V 2 x 900 A Modul, das ein verbessertes LoPak-Modulgehäuse verwendet, ergänzen die neuen Produkte die bestehende 1.700 V Familie.

Diese neuen Module verfügen über Chips der nächsten Generation der extrem verlustarmen, robusten Trench-IGBT-Technologie sowie entsprechend optimierten Dioden.

Neben der standardmäßigen Verwendung einer Kupfer (Cu)-Grundplatte, Press-Fit-Pins für die Steueranschlüsse und ab Werk aufgebrachtem Thermal Interface Material (TIM) auf der Grundplatte, umfasst das verbesserte LoPak-Gehäuse:

• Ein neues Cu-Lay-Out auf dem DBC-Substrat zur Optimierung der Chip-Positionen, zur Minimierung der Temperaturwechselwirkungen sowie einerseits geringsten Streuinduktivitäten und -kapazitäten, als auch ohmschen Widerstand der Leiterbahnen bei gleichzeitiger Optimierung der Stromaufteilung zwischen den IGBT- und Diodenpaaren.
• Verwendung von Cu-Bonddraht für die DBC/DBC- und DBC/Leistungsanschlüsse sowie eine erhöhte Anzahl von Bonddrähten.

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